石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S20
·生長方法：CVD合成
·聚合物輔助轉(zhuǎn)移
·芯片尺寸：10 mm x 10 mm
·切屑厚度：675μm
·每個(gè)芯片的GFET數(shù)量：12
·柵極氧化物厚度：90 nm
·柵極氧化物材料：SiO2
·襯底電阻率：1-10Ω.cm
·金屬化：Au觸點(diǎn)
·石墨烯場效應(yīng)遷移率：>1000 cm2/V.s
·封裝：50 nm Al2O3
·狄拉克點(diǎn)（背柵）：±2V
·狄拉克點(diǎn)（液體門控）：<1V
·最小工作裝置：>75%
·最大柵源電壓：±2V
·最高額定溫度：150°C
·最大漏源電流密度：107A.cm-2
2025 GFET-S2X測量協(xié)議及處理說明
http://www.easteye.com.cn/news/info/id/12672
Graphene Field-Effect Transistor Chip S-20 技術(shù)數(shù)據(jù)表
http://www.easteye.com.cn/news/info/id/12673
價(jià)格：4800元/片
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