吉倉低溫石墨烯生長系統(tǒng)
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吉倉納米科技有限公司根據(jù)多年生長石墨烯膜的經驗研發(fā)出的低溫石墨烯生長系統(tǒng)，可實現(xiàn)500~800℃低溫生長。吉倉納米可以提供石墨烯膜的生長培訓。
吉倉低溫石墨烯生長系統(tǒng)配有Plasma實現(xiàn)等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
開啟式真空管式爐 JC-1200C-SL-PECVD
爐管尺寸：外徑φ100（可選）
加熱元件:電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo）
加熱區(qū)長度：440mm
恒溫區(qū)長度: 200mm（±1℃）
工作溫度：1100℃
最高溫度：1200℃
控溫方式：模糊PID控制和自整定調節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能
控溫精度:±1℃
升溫速度：20度/分鐘
爐門結構：開啟式
工作電源：AC220V /50HZ
額定功率:3KW
射頻電源
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信號頻率 |
13.56 MHz±0.005% |
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功率輸出范圍 |
5W-500W |
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最大反射功率 |
200W |
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射頻輸出接口 |
50 Ω, N-type, female |
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功率穩(wěn)定度 |
±0.1% |
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諧波分量 |
≤-50dbc |
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供電電壓 |
單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
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整機效率 |
>=70% |
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功率因素 |
>=90% |
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冷卻方式 |
強制風冷 |
壓力真空表：－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/
供氣系統(tǒng)（品牌： JCNO）
GMF-3Z
連接頭類型：雙卡套不銹鋼接頭。
標準量程（N
2)：50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar）；
準確度：±1.5%
線性：±0.5～1.5%
重復精度：±0.2%
響應時間：氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
工作壓差范圍：0.1～0.5 MPa
最大壓力：3MPa
接口：Φ6,1/4''mm
顯示：液晶觸摸屏控制，無紙記錄。
工作環(huán)境溫度:5~45高純氣體
內外雙拋衛(wèi)生級不銹鋼管：316L，Φ6mm
低真空機組（品牌： JCNO）VAU-02
技術參數(shù)：
空氣相對濕度≤85%，
工作電電壓：220V±10% 50~60HZ
功率：1千瓦
抽氣速率：4L\s
極限真空：4X10-2Pa
實驗真空度：1.0X10-1Pa
容油量：1.1L
進氣口口徑：KF25
排氣口口徑：KF25
轉速：1450rpm
噪音：50dB
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