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石墨烯可以看做一種零帶隙半導體，這種特性可以把它看做金屬。而金屬-半導體可以構成的三極管結構。引入石墨烯-半導體構造的三極管變成為可能。傳統的是控制Schottky勢壘，這篇論文《Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier》便調控石墨烯勢壘graphene barristor(GB)，通過調整柵極電壓來控制墨烯勢壘graphene barristor(GB)（在石墨烯-硅界面上，寬度僅2nm），實現了大的調制電流（開/關比10的5次方）。
文章通過調節石墨烯的功函數，從來調節勢壘的高度達到0.2eV，并由此導致二極管門電壓大的移動。并且他們制作了一個150mm的晶片，并結合互補的p型和n型GBs，制作出具有逆變器和半加器的邏輯電路。