三星等計劃利用石墨烯實現“在大面積柔性基板上制造三維存儲器”
利用石墨烯制成存儲單元
美國加州大學和韓國三星電子開發出了在大面積柔性基板上集成三維層疊型存儲器的基本技術（演講編號：6B-2）。通過在把電荷積聚在絕緣膜上的捕獲型存儲器的溝道上采用石墨烯，在柔性基板上形成了能夠三維層疊的高性能非易失性存儲器。此次，采用石墨烯薄膜的轉印工藝，在SiO2/Si基板上制作了具備石墨烯溝道的存儲單元，發現能夠確保足夠大的工作窗口。
現已提出的三維存儲器方案，其構造多為在Si基板上三維層疊使用多晶硅溝道的存儲單元。東芝作為后NAND閃存正在開發的電荷捕獲型三維存儲器“BiCS”就是其中的一例。據三星的開發小組介紹，東芝的三維存儲器主要存在兩個課題。第一，溝道材料因采用多晶硅，難以充分提高工作速度等性能。第二，因多晶硅的退火處理等要在高溫下進行，在耐熱性差的柔性基板上難以形成。其結果是，目前基板材料只能使用300mm的硅晶圓。
三星的開發小組表示，在電荷捕獲型存儲器的溝道上采用石墨烯，能夠克服上述問題。首先，石墨烯的載流子遷移率高，因此工作速度高的存儲單元容易實現。其次，通過采用石墨烯的轉印工藝，能夠在250℃以下的低溫下形成存儲單元。因此優勢在于，可以采用與平板顯示器（FPD）相似的制造工藝，在大面積柔性基板上制作三維存儲器。
開發小組此次在SiO2/Si基板上形成了柵極電極采用Ni、溝道采用單層石墨烯、電荷存儲層采用HfO2、溝道絕緣膜采用Al2O3的存儲單元，并評估了其特性。得到的工作窗口寬達9.3V，足以用于非易失性存儲器。（摘自技術在線）
