金剛石因其獨(dú)特的性質(zhì)在各個(gè)領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。然而，盡管過去幾十年中進(jìn)行了大量努力，生產(chǎn)出用于廣泛應(yīng)用的理想超薄金剛石膜仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。本文展示了利用膠帶進(jìn)行邊緣暴露剝離是一種簡單、可擴(kuò)展且可靠的方法，用于生產(chǎn)超薄且可轉(zhuǎn)移的多晶金剛石膜。我們的方法實(shí)現(xiàn)了大面積（2英寸晶圓）、超薄（亞微米厚度）、超平整（亞納米表面粗糙度）和超柔韌（360°可彎曲）金剛石膜的大規(guī)模生產(chǎn)。這些高質(zhì)量的膜具有平整的可加工表面，支持標(biāo)準(zhǔn)微制造技術(shù)，并且其超柔韌的特性使得直接彈性應(yīng)變工程和變形傳感應(yīng)用成為可能，這是其笨重的對(duì)應(yīng)物所無法實(shí)現(xiàn)的。系統(tǒng)性的實(shí)驗(yàn)和理論研究揭示了剝離膜的質(zhì)量取決于剝離角度和膜厚度，在最佳操作窗口內(nèi)可以穩(wěn)健地生產(chǎn)出基本完整的金剛石膜。這種單步方法為大規(guī)模生產(chǎn)高性價(jià)比的金剛石膜開辟了新途徑，有望加速金剛石時(shí)代在電子、光子學(xué)和其他相關(guān)領(lǐng)域的商業(yè)化進(jìn)程。
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圖1 | 剝離晶圓級(jí)金剛石膜
a：使用3M膠帶從硅生長基底上剝離金剛石膜的邊緣暴露剝離法示意圖。晶圓邊緣被裁切以促進(jìn)剝離。
b：照片顯示在硅基底上生長的約1微米厚、2英寸寬的金剛石膜（i）被標(biāo)記筆裁切（ii），隨后用手通過3M透明膠帶輕松且干凈地剝離（iii）。剝離后的硅基底無殘留，可重復(fù)使用（iv）。比例尺：2厘米。
c：剝離后的2英寸、1微米厚金剛石膜照片（左）及對(duì)應(yīng)的5倍和50倍光學(xué)顯微鏡圖像（右）。比例尺：500微米（主圖），50微米（插圖）。
d：過去三十年報(bào)道的可轉(zhuǎn)移金剛石膜尺寸統(tǒng)計(jì)（灰色區(qū)域）。注意，本方法原則上可擴(kuò)展至12英寸樣品。
解析
圖a（示意圖）
核心方法：通過裁切硅基底邊緣暴露金剛石-硅界面，利用膠帶粘附力實(shí)現(xiàn)機(jī)械剝離。
關(guān)鍵點(diǎn)：邊緣裁切（cropping）是成功剝離的關(guān)鍵步驟，可避免直接剝離導(dǎo)致的膜破裂。
圖b（操作步驟）
步驟i-ii：用標(biāo)記筆在硅基底背面裁切出缺口，暴露金剛石與硅的界面。
步驟iii：3M透明膠帶粘附金剛石膜表面，緩慢撕下實(shí)現(xiàn)剝離。
步驟iv：剝離后的硅基底表面潔凈，說明方法無損基底，符合重復(fù)使用需求。
圖c（膜質(zhì)量驗(yàn)證）
宏觀照片：展示完整2英寸金剛石膜，證明大尺寸剝離的可行性。
顯微圖像：5倍和50倍放大顯示膜表面平整，無裂紋或殘留，符合超平整要求。
圖d（尺寸對(duì)比）
歷史數(shù)據(jù)：灰色區(qū)域顯示過去三十年報(bào)道的可轉(zhuǎn)移金剛石膜尺寸普遍較小（毫米至4英寸級(jí)）。
本工作突破：方法可擴(kuò)展至12英寸（300毫米），與商業(yè)硅晶圓尺寸兼容，為產(chǎn)業(yè)化奠定基礎(chǔ)。
學(xué)術(shù)意義
該圖通過操作示意圖、實(shí)物照片、顯微表征和歷史數(shù)據(jù)對(duì)比，系統(tǒng)證明了邊緣暴露剝離法的可擴(kuò)展性、無損性和工業(yè)兼容性，為超平整、超柔韌金剛石膜的量產(chǎn)提供了關(guān)鍵技術(shù)路徑。
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圖2 | 剝離金剛石薄膜的詳細(xì)表征
a–c：剝離后的1微米厚金剛石薄膜的生長表面（頂部）與剝離界面（底部）的拉曼光譜（a）、X射線光電子能譜（b）和X射線衍射光譜（c）。
d,e：剝離的1微米厚金剛石薄膜的光學(xué)折射率（d）和消光系數(shù)（e）。
f：本研究制備的2英寸1微米厚金剛石薄膜與商用標(biāo)準(zhǔn)塊狀單晶金剛石（Element Six生產(chǎn)，0.5×0.5×0.3毫米）在不同性能方面的對(duì)比。注：所有表征均針對(duì)薄膜剝離界面完成。
g：生長在硅襯底上的2英寸金剛石薄膜表面制備的芯片陣列光學(xué)照片。插圖為單個(gè)芯片的放大圖像（紅色虛線框標(biāo)記氫終端表面區(qū)域）。比例尺：主圖2厘米，插圖1毫米。
h：剝離前后生長表面芯片陣列的電阻變化。
i：從硅襯底剝離后的2英寸金剛石薄膜上的芯片陣列照片。比例尺2厘米。
（a.u.：任意單位；FWHM：半高全寬）
內(nèi)容解析
以下為圖中關(guān)鍵科學(xué)信息的解讀和意義分析：
1. 薄膜基礎(chǔ)表征（a–c）
拉曼光譜（a）：用于評(píng)估金剛石的晶體質(zhì)量（如缺陷、應(yīng)力），通過特征峰（如1332 cm?¹）的半高寬（FWHM）判斷結(jié)晶度。對(duì)比“生長表面”和“剝離界面”可分析剝離過程對(duì)材料的影響。
XPS（b）：揭示表面化學(xué)組成（如碳的sp³/sp²雜化比例），判斷是否存在非金剛石相（如石墨或無定形碳）。
XRD（c）：通過衍射峰位置和強(qiáng)度確認(rèn)晶體結(jié)構(gòu)（單晶/多晶）及取向一致性。
2. 光學(xué)性能（d,e）
折射率與消光系數(shù)：光學(xué)常數(shù)表征薄膜在光電子器件中的潛在應(yīng)用（如波導(dǎo)、激光窗口）。高折射率（約2.4）和低消光系數(shù)（接近零）是理想金剛石的標(biāo)志。
3. 性能對(duì)比（f）
與商用塊體金剛石（Element Six）對(duì)比：可能對(duì)比了硬度、熱導(dǎo)率、光學(xué)透明性或電學(xué)性能。數(shù)據(jù)或表明該薄膜在特定性能（如表面平整度、柔性器件兼容性）上優(yōu)于傳統(tǒng)塊體材料。
4. 器件集成與應(yīng)用（g–i）
硅基集成（g）：在硅襯底上生長2英寸薄膜，表明其兼容半導(dǎo)體工藝，適用于集成電路或傳感器制造。
氫終端表面（g插圖）：氫終端是金剛石表面功能化的關(guān)鍵步驟，可用于制備場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）或生物傳感器。
電阻變化（h）：剝離后電阻穩(wěn)定性反映薄膜機(jī)械完整性和電學(xué)可靠性，直接影響器件壽命。
剝離后柔性（i）：從硅襯底剝離的薄膜保持結(jié)構(gòu)完整，或暗示其在柔性電子或異質(zhì)集成中的潛力。
研究意義
技術(shù)突破：成功制備大面積（2英寸）、超薄（1微米）金剛石薄膜，克服了傳統(tǒng)金剛石加工難、成本高的問題。
應(yīng)用場(chǎng)景：可能用于高頻電子器件（5G/6G）、量子傳感器（NV色心）或極端環(huán)境（高溫/輻射）設(shè)備。
創(chuàng)新點(diǎn)：通過剝離技術(shù)保留界面性能（“Note that all characterizations were conducted on the buried surface”），可能提出一種新型金剛石薄膜剝離工藝。
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圖3 | 機(jī)械剝離金剛石薄膜的超平整性表征
a：約1微米厚的金剛石薄膜的生長表面、剝離界面和橫截面的掃描電鏡（SEM）圖像。比例尺：1微米。
b：生長表面、剝離界面以及在更光滑硅襯底上優(yōu)化的剝離界面的原子力顯微鏡（AFM）粗糙度曲線。
c：不同厚度金剛石薄膜（20微米×20微米區(qū)域）的生長表面和剝離界面的平均粗糙度（Ra）對(duì)比。
d：不同方法制備金剛石薄膜的平滑度對(duì)比。本研究提出的“邊緣暴露剝離法”在所有厚度（左）和尺寸（右）下均獲得最平滑表面。
e：在剝離的1微米厚金剛石薄膜界面上制備的納米結(jié)構(gòu)SEM圖像。比例尺：左、右圖為1微米，中間圖為10微米。
內(nèi)容解析
以下為圖中關(guān)鍵科學(xué)信息的解讀及技術(shù)意義：
1. 表面形貌與粗糙度（a-c）
SEM圖像（a）：直接觀察生長表面、剝離界面（埋入面）及橫截面，驗(yàn)證薄膜厚度均勻性和界面完整性。
AFM粗糙度（b,c）：通過Ra值量化表面平整度。若優(yōu)化后的剝離界面粗糙度接近原子級(jí)（如Ra < 1 nm），表明技術(shù)可媲美拋光塊體金剛石，適合光電子器件（如激光諧振腔）或量子器件（依賴表面精度）。
硅襯底優(yōu)化（b中第三條曲線）：更光滑的硅襯底可降低剝離界面缺陷（如裂紋或位錯(cuò)），暗示襯底預(yù)處理對(duì)剝離質(zhì)量的關(guān)鍵影響。
2. 方法創(chuàng)新性（d）
邊緣暴露剝離法：可能通過控制剝離應(yīng)力分布（如界面化學(xué)處理或機(jī)械輔助刻蝕）減少表面損傷，優(yōu)于傳統(tǒng)激光剝離或化學(xué)腐蝕法。
普適性（左/右圖）：在多種厚度和大面積（如厘米級(jí)）下保持超低粗糙度，說明方法具有規(guī)模化生產(chǎn)潛力。
3. 納米加工驗(yàn)證（e）
納米結(jié)構(gòu)制備：在剝離界面上成功加工高精度圖案（如光柵或孔陣），證明該表面可直接用于光刻或蝕刻工藝，適用于光學(xué)器件（如超構(gòu)表面）或傳感器電極。
技術(shù)突破與意義
超平整表面：
傳統(tǒng)金剛石加工依賴機(jī)械拋光或離子束刻蝕，成本高且效率低。本研究通過剝離技術(shù)直接獲得原子級(jí)平滑界面，可大幅降低后續(xù)加工難度。
表面平整度直接影響器件性能（如光學(xué)損耗、量子比特壽命），因此該結(jié)果為金剛石基高頻芯片或量子計(jì)算提供了關(guān)鍵材料基礎(chǔ)。
創(chuàng)新方法對(duì)比（d）：
對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)（如激光剝離、化學(xué)轉(zhuǎn)移）的粗糙度數(shù)據(jù)，凸顯“邊緣暴露剝離法”的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。可能的核心創(chuàng)新點(diǎn)包括：
界面應(yīng)力調(diào)控（如預(yù)沉積緩沖層）。
動(dòng)態(tài)剝離路徑優(yōu)化（避免局部應(yīng)力集中）。
商業(yè)化潛力：
兼容硅襯底（b中優(yōu)化數(shù)據(jù)）和厘米級(jí)尺寸（a中的2英寸薄膜，需結(jié)合圖2信息）表明，該方法可集成至現(xiàn)有半導(dǎo)體生產(chǎn)線，推動(dòng)金剛石在5G射頻器件或功率半導(dǎo)體中的應(yīng)用。
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圖4 | 應(yīng)用于可穿戴電子的柔性金剛石薄膜
a–c：約4微米厚的自支撐金剛石薄膜的形態(tài)照片：(a) 平鋪狀態(tài)，(b) 360°彎曲，(c) 纏繞于不同半徑的圓柱體表面。
d：金剛石薄膜在拉伸（紅色）和壓縮（藍(lán)色）應(yīng)變下的電阻變化。灰色區(qū)域表示變形過程中微裂紋的產(chǎn)生區(qū)間。
e：本研究金剛石薄膜與文獻(xiàn)報(bào)道的單晶（SCD）納米樣品及多晶金剛石薄膜40,41,49–53的最大支持拉伸應(yīng)變對(duì)比。
f,g：基于2英寸金剛石薄膜制備的5×3應(yīng)變傳感器陣列示意圖（f）及通過3M透明膠帶剝離后的實(shí)物照片（g）。
h：傳感器陣列在手臂伸展（上）和彎曲（下）狀態(tài)下的實(shí)物圖。
i：與h圖對(duì)應(yīng)的伸展和彎曲狀態(tài)下傳感器陣列各單元的電阻變化。
內(nèi)容解析
以下為圖中核心實(shí)驗(yàn)與技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)的解讀：
1. 柔性驗(yàn)證與機(jī)械性能（a-e）
大角度形變（a-c）：通過彎曲（360°）和纏繞實(shí)驗(yàn)，直觀展示金剛石薄膜的柔性，挑戰(zhàn)傳統(tǒng)認(rèn)知中金剛石“脆性”的局限。
電阻-應(yīng)變關(guān)系（d）：
拉伸/壓縮應(yīng)變下電阻變化：若變化線性且可逆（需結(jié)合數(shù)據(jù)趨勢(shì)），表明薄膜具有作為應(yīng)變傳感器的潛力。
微裂紋閾值（灰色區(qū)域）：確定器件的安全工作范圍（如應(yīng)變<2%），為可穿戴設(shè)計(jì)提供可靠性邊界。
性能對(duì)比（e）：本研究的4微米厚薄膜支持更大拉伸應(yīng)變（可能>5%），得益于機(jī)械剝離工藝減少界面缺陷，超越傳統(tǒng)多晶或納米單晶金剛石的力學(xué)極限。
2. 可穿戴器件集成（f-i）
傳感器陣列（f,g）：
3M透明膠帶剝離：驗(yàn)證薄膜與柔性襯底（如PET或PDMS）的可集成性，暗示低成本制造工藝。
2英寸大面積陣列：體現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)能力，適用于多點(diǎn)監(jiān)測(cè)（如全身運(yùn)動(dòng)傳感）。
人體貼合測(cè)試（h,i）：
手臂動(dòng)態(tài)響應(yīng)：電阻變化實(shí)時(shí)映射伸展/彎曲幅度，證明其在生理信號(hào)（如關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)、呼吸監(jiān)測(cè)）檢測(cè)中的實(shí)用性。
多單元獨(dú)立響應(yīng)（i）：若各單元數(shù)據(jù)一致性高，表明薄膜均勻性優(yōu)異，適合高密度傳感器布局。
技術(shù)突破與意義
材料特性顛覆：
首次實(shí)現(xiàn)大尺寸（2英寸）、超薄（4微米）金剛石薄膜的柔性化，突破金剛石僅用于剛性器件的傳統(tǒng)場(chǎng)景。
機(jī)械穩(wěn)定性：通過剝離工藝保留高結(jié)晶度（參考圖2/3數(shù)據(jù)），兼具柔性（>360°彎曲）與高硬度（磨損防護(hù)優(yōu)勢(shì)）。
可穿戴應(yīng)用創(chuàng)新：
極端環(huán)境耐受性：金剛石的化學(xué)惰性、高熱導(dǎo)率（散熱）和生物相容性，使其可應(yīng)用于高溫、腐蝕性或醫(yī)療植入場(chǎng)景。
高靈敏度傳感：電阻對(duì)微小應(yīng)變響應(yīng)靈敏（結(jié)合d/i數(shù)據(jù)），或超越現(xiàn)有金屬/聚合物基應(yīng)變傳感器的檢測(cè)極限（如<0.1%應(yīng)變分辨率）。
工藝兼容性：
3M透明膠帶剝離（g）：借鑒石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù)，大幅降低加工復(fù)雜度，與卷對(duì)卷（roll-to-roll）生產(chǎn)兼容，推動(dòng)商業(yè)化進(jìn)程。
異質(zhì)集成潛力：薄膜可貼合皮膚、紡織品或彈性襯底（如h圖），為智能服裝、電子皮膚提供核心材料解決方案。
挑戰(zhàn)與展望
微裂紋控制（d）：需進(jìn)一步優(yōu)化剝離工藝或引入封裝層（如原子層沉積Al?O?），延長器件循環(huán)壽命。
信號(hào)干擾抑制：多單元傳感器（i）在動(dòng)態(tài)環(huán)境中可能受溫度、濕度影響，需設(shè)計(jì)補(bǔ)償算法或屏蔽結(jié)構(gòu)。
大規(guī)模生產(chǎn)：2英寸薄膜良率、成本需結(jié)合具體工藝參數(shù)（如生長速率、剝離成功率）評(píng)估。
文獻(xiàn)檢索建議
關(guān)鍵詞組合：
"flexible diamond membrane" + "wearable strain sensor"
"mechanical exfoliation" + "transparent tape transfer"
"stretchable electronics" + "chemical vapor deposition (CVD)"
聚焦期刊：《Nature Flexible Electronics》《Advanced Materials》《ACS Nano》等涉及柔性金剛石器件的最新研究（2024-2025年）。
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圖5 | 機(jī)械剝離金剛石薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵影響因素
a：金剛石薄膜從襯底上剝離的示意圖，包含剝離力F和剝離角度θ。
b：不同厚度金剛石薄膜在1 cm×1 cm晶圓上以不同剝離角度剝離后表面微裂紋密度的實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)結(jié)果（剝離速度固定為10毫米/分鐘）。
c：不同厚度薄膜在不同剝離角度下裂紋擴(kuò)展概率的理論計(jì)算結(jié)果。
d：通過有限元法模擬的600納米厚金剛石薄膜在30°（左）、60°（中）和90°（右）剝離角度下的彎曲應(yīng)力分布。下側(cè)小圖展示剝離過程中薄膜頂部（黑色數(shù)字標(biāo)注）和底部（紅色數(shù)字標(biāo)注）裂紋的相態(tài)演變：當(dāng)裂紋尖端應(yīng)力達(dá)到臨界值時(shí)，材料從未斷裂狀態(tài)（相位值0）轉(zhuǎn)變?yōu)橥耆珨嗔褷顟B(tài)（相位值1.0）。相場(chǎng)模擬中預(yù)設(shè)裂紋初始尺寸為頂部56納米、底部1.2納米（基于附圖22中95%的裂紋小于此尺寸的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)）。
內(nèi)容解析
以下為圖中核心機(jī)理與實(shí)驗(yàn)關(guān)聯(lián)性的解讀：
1. 剝離工藝參數(shù)的影響（a-b）
剝離角度θ（a）：θ角控制剝離力在薄膜平面的分力方向（剪切力與法向力比例），直接影響應(yīng)力分布和裂紋產(chǎn)生。
微裂紋密度（b）：
實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)表明，較薄薄膜（如<1微米）在θ=30°–60°時(shí)微裂紋密度最低，暗示小角度剝離可降低界面應(yīng)力集中。
厚度增加（如>2微米）時(shí)，θ影響減弱，可能與薄膜自身剛度增加有關(guān)，但需結(jié)合c圖理論分析驗(yàn)證。
2. 理論模型與模擬驗(yàn)證（c-d）
裂紋擴(kuò)展概率（c）：基于斷裂力學(xué)模型，薄層（如500納米）在θ=45°時(shí)裂紋擴(kuò)展概率最低，與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)（b）中微裂紋密度最低點(diǎn)對(duì)應(yīng)，說明模型可指導(dǎo)工藝優(yōu)化。
應(yīng)力分布與相態(tài)演變（d）：
30°剝離時(shí)，彎曲應(yīng)力集中于薄膜邊緣（易引發(fā)邊緣裂紋）；90°剝離時(shí)應(yīng)力均勻分布但幅值更高（整體脆性斷裂風(fēng)險(xiǎn)大）。
底部裂紋更易擴(kuò)展（初始尺寸僅1.2納米）：因薄膜-襯底界面處存在殘余應(yīng)力或缺陷，需在生長工藝中優(yōu)化界面結(jié)合力。
3. 工藝設(shè)計(jì)啟示
最優(yōu)角度選擇：對(duì)于典型厚度（如600納米），推薦θ≈60°以平衡應(yīng)力分布與裂紋抑制（d中60°的應(yīng)力幅值低于90°，且相態(tài)演變較平緩）。
速度與角度協(xié)同優(yōu)化：剝離速度（固定為10 mm/min）可能與θ共同影響動(dòng)態(tài)應(yīng)力加載速率，需進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證其對(duì)缺陷的耦合作用。
技術(shù)突破與意義
工藝-性能關(guān)聯(lián)量化：
首次建立剝離角度、厚度與微裂紋密度的定量關(guān)系，為高良率生產(chǎn)提供普適性參數(shù)框架。
通過相場(chǎng)模擬（d）闡明裂紋萌生與擴(kuò)展的臨界條件，為預(yù)測(cè)薄膜機(jī)械可靠性提供理論工具。
缺陷控制策略：
界面工程：底部裂紋的敏感性提示需在生長階段強(qiáng)化薄膜-襯底界面（如插入過渡層或退火處理）。
動(dòng)態(tài)剝離調(diào)控：實(shí)時(shí)調(diào)整θ角（如從30°漸變至60°）可能進(jìn)一步降低應(yīng)力峰值，但需開發(fā)精密剝離設(shè)備。
跨尺度建模應(yīng)用：
將宏觀剝離參數(shù)（θ、F）與微觀裂紋演變（相場(chǎng)模型）結(jié)合，推動(dòng)“工藝-結(jié)構(gòu)-性能”一體化設(shè)計(jì)范式，適用于其他二維材料（如氮化硼）的剝離研究。
挑戰(zhàn)與展望
復(fù)雜工況擴(kuò)展：當(dāng)前模型假設(shè)剝離速度恒定，實(shí)際生產(chǎn)中的動(dòng)態(tài)波動(dòng)（如振動(dòng)、溫度變化）可能影響預(yù)測(cè)精度。
多物理場(chǎng)耦合：未考慮電熱效應(yīng)（如剝離摩擦生熱）對(duì)界面應(yīng)力的影響，需補(bǔ)充熱力學(xué)耦合模擬。
規(guī)模化生產(chǎn)適配：實(shí)驗(yàn)室級(jí)小尺寸剝離（1 cm×1 cm）的參數(shù)是否適用于晶圓級(jí)（如6英寸）生產(chǎn)，需驗(yàn)證尺寸效應(yīng)。
補(bǔ)充研究方向
原位監(jiān)測(cè)技術(shù)：結(jié)合高速攝影或聲發(fā)射傳感器，實(shí)時(shí)捕捉剝離過程中的裂紋動(dòng)態(tài)行為，修正理論模型。
機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化：利用b-c圖的實(shí)驗(yàn)與理論數(shù)據(jù)訓(xùn)練算法，快速預(yù)測(cè)任意θ和厚度組合下的微裂紋密度。
我們展示了邊緣暴露剝離方法是一種簡單且快速的方式，用于商業(yè)化生產(chǎn)可轉(zhuǎn)移的、晶圓級(jí)、超薄且超平整的金剛石膜。通過實(shí)驗(yàn)演示和計(jì)算分析確定的最佳操作窗口為實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)生產(chǎn)提供了指導(dǎo)。此外，該方法具有可擴(kuò)展性，適用于任何膜厚度和尺寸。與標(biāo)準(zhǔn)單晶塊狀金剛石相比，我們的膜在光學(xué)性質(zhì)（在450納米波長下折射率約為2.36）、熱導(dǎo)率（約1300 W m
-1 K
-1）和電阻率（約10
10 Ω）方面相當(dāng)。與其他方法不同，使用我們的方法生產(chǎn)的膜足夠平整（粗糙度<1納米），適用于精確的微制造和納米制造。在厘米級(jí)樣品上實(shí)現(xiàn)的約4％應(yīng)變的變形支持了宏觀尺度上的彈性應(yīng)變工程，為下一代金剛石基電子器件（如場(chǎng)效應(yīng)晶體管、p-n結(jié)二極管）、光子學(xué)器件（如拉曼激光器、紫外探測(cè)器、平面光子器件，包括超透鏡和超表面、光子結(jié)構(gòu)，包括環(huán)形和腔共振器、波導(dǎo)、納米柱）、機(jī)械器件（如機(jī)械懸臂梁、微機(jī)電系統(tǒng)器件）、熱學(xué)器件（如芯片上散熱片）、聲學(xué)器件（如表面聲波濾波器、平面聲學(xué)超材料）和量子技術(shù)（如可擴(kuò)展和定制化的設(shè)備）開辟了可能性。https://www.nature.com/articles/s41586-024-08218-x
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
