鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）因其高功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）和低制造成本，成為備受矚目的光伏（PV）技術(shù)。本文深入探討了PSCs領(lǐng)域的變化，通過分析各種維度多樣性（包括零維（0D）、一維（1D）、二維（2D）和三維（3D）結(jié)構(gòu)），并探索了混合維度集成在提高這些有前途的光伏設(shè)備穩(wěn)定性和性能方面的潛力。為了微調(diào)鈣鈦礦材料的性能，研究人員采用了諸如鈍化策略、界面工程和精確晶體生長控制等前沿方法。這些方法顯著提高了開路電壓（V_OC）、長期穩(wěn)定性和PCE。本文還深入討論了每種維度集成中涉及的復(fù)雜權(quán)衡，為材料性能、器件架構(gòu)和制造技術(shù)之間的復(fù)雜相互作用提供了重要見解。PSCs中的維度多樣性代表了推動光伏技術(shù)前沿的動態(tài)路徑，為科學(xué)家和工程師實現(xiàn)下一代太陽能電池的全部潛力提供了寶貴指導(dǎo)。總之，本文全面分析了鈣鈦礦基太陽能電池的發(fā)展、挑戰(zhàn)和潛力，通過探討印刷技術(shù)、穩(wěn)定性問題、應(yīng)用以及鈣鈦礦材料的特殊性質(zhì)，為高效PSCs的發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。
近年來，鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）因其有望徹底變革光伏（PV）產(chǎn)業(yè) 而備受關(guān)注。PSCs的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）在實驗室條件下已超過25%，這一水平與傳統(tǒng)硅基太陽能電池相當(dāng)。PSCs不僅效率高，而且生產(chǎn)成本低，可通過旋涂和噴墨打印等大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)制造，相較于需要高能耗制造工藝的傳統(tǒng)硅太陽能電池，PSCs更具成本優(yōu)勢。鈣鈦礦材料因其卓越的光學(xué)和電子特性，在太陽能電池應(yīng)用中展現(xiàn)出極高的適應(yīng)性。隨著研究的深入，PSCs的穩(wěn)定性、可擴(kuò)展性和耐久性均得到了顯著提升，預(yù)計未來商業(yè)化進(jìn)程將進(jìn)一步加快。
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圖1. 本綜述文章概述了鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）中的維度多樣性（0D、1D、2D和3D）及其混合維度集成的潛力。
解析
這段文字是對圖1的簡要描述，主要包含了以下幾個關(guān)鍵點(diǎn)：
1、綜述文章概述：這段文字是對某篇綜述文章內(nèi)容的概括性介紹，說明該文章將討論的主題和范圍。
2、鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）：這是文章討論的核心對象，即鈣鈦礦太陽能電池，這是一種具有潛力的光伏技術(shù)。
3、維度多樣性（0D、1D、2D和3D）：文章將探討鈣鈦礦太陽能電池中的維度多樣性，包括零維（0D）、一維（1D）、二維（2D）和三維（3D）結(jié)構(gòu)。這些不同維度的結(jié)構(gòu)在鈣鈦礦太陽能電池中具有不同的特性和應(yīng)用。
*0D結(jié)構(gòu)：通常指的是量子點(diǎn)或納米顆粒等零維材料，在鈣鈦礦太陽能電池中可能用于增強(qiáng)光吸收或電荷傳輸。
*1D結(jié)構(gòu)：如納米線或納米棒，可以提供直接的電荷傳輸路徑，有助于減少電荷復(fù)合。
*2D結(jié)構(gòu)：如層狀鈣鈦礦材料，具有優(yōu)異的環(huán)境穩(wěn)定性和獨(dú)特的光電性質(zhì)。
*3D結(jié)構(gòu)：傳統(tǒng)的鈣鈦礦太陽能電池多采用三維結(jié)構(gòu)，具有高吸光系數(shù)和優(yōu)異的電荷傳輸性能。
4、混合維度集成的潛力：文章還將探討混合不同維度結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的潛力，即結(jié)合0D、1D、2D和3D結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，以進(jìn)一步提高電池的性能和穩(wěn)定性。這種混合維度集成策略有望為鈣鈦礦太陽能電池的發(fā)展開辟新的途徑。
5、圖1的作用：圖1作為綜述文章的概述圖，可能展示了不同維度結(jié)構(gòu)在鈣鈦礦太陽能電池中的示意圖，以及混合維度集成的概念性圖示。這有助于讀者快速理解文章的主要內(nèi)容和研究重點(diǎn)。
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圖2 (a) 多步生產(chǎn)方法的示意圖。(b) 具有和不具有Cs4PbBr6的CsPbBr3基鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）的J-V特性。(c) Cs4PbBr6誘導(dǎo)載流子復(fù)合的過程。(d) 具有ReSe2定制結(jié)構(gòu)的全無機(jī)CsPbBr3 PSC。(e) 全無機(jī)、ReSe2定制的CsPbBr3 PSC的能級圖。(f) J-V曲線。(g) 不同PSCs在有無ReSe2情況下的光伏性能統(tǒng)計。(a)-(g) 已獲許可復(fù)制，版權(quán)2022，Wiley。(h) 左上角是MA4PbI6·2H2O的晶體結(jié)構(gòu)，右上角是MAPbI3的晶體結(jié)構(gòu)。(i) 圖像展示了純甲基銨碘化鉛樣品（藍(lán)色）、在100°C下熱退火后（紅色）以及冷卻至室溫后（藍(lán)色虛線）的光學(xué)吸收情況。(h)和(i) 已獲許可復(fù)制，版權(quán)2021，ACS。(j) J-V特性。(k) 具有Ag和Au頂接觸的MABI器件的穩(wěn)定性隨功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）隨時間的變化。(j)和(k) 已獲許可復(fù)制，版權(quán)2017，RSC。(l) 能級圖中的數(shù)字是相對于真空給出的。(m) 在光照下，具有(CH3NH3)3Bi2I9吸收體（藍(lán)色）和無吸收體的參考電池（黑色）的J-V曲線。(l)和(m) 已獲許可復(fù)制，版權(quán)2016，Elsevier。
解析
這段文字主要描述了圖2中各個子圖的內(nèi)容及其來源，涵蓋了鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）在不同維度（0D、1D、2D、3D）下的性能研究，特別是混合維度集成對電池性能的影響。以下是對各部分的詳細(xì)解析：
1、多步生產(chǎn)方法示意圖（圖2a）：
*展示了全無機(jī)CsPbBr3 PSCs的一種多步生產(chǎn)方法，旨在通過精確控制相變來避免0D Cs4PbBr6相的形成，從而提高電池性能。
2、J-V特性（圖2b）：
*對比了具有和不具有Cs4PbBr6的CsPbBr3基PSCs的J-V特性，表明Cs4PbBr6的存在會降低電池的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）。
3、載流子復(fù)合過程（圖2c）：
解釋了Cs4PbBr6如何誘導(dǎo)載流子復(fù)合，從而影響電池性能。
4、ReSe2定制結(jié)構(gòu)的全無機(jī)CsPbBr3 PSC（圖2d-g）：
*展示了通過引入ReSe2納米片來定制全無機(jī)CsPbBr3 PSC的結(jié)構(gòu)（圖2d）。
*給出了該結(jié)構(gòu)的能級圖（圖2e）和J-V曲線（圖2f）。
*統(tǒng)計了不同PSCs在有無ReSe2情況下的光伏性能（圖2g），表明ReSe2的引入可以顯著提高PCE。
5、MA4PbI6·2H2O和MAPbI3的晶體結(jié)構(gòu)及光學(xué)吸收（圖2h-i）：
*展示了MA4PbI6·2H2O和MAPbI3的晶體結(jié)構(gòu)（圖2h）。
*通過光學(xué)吸收圖像（圖2i）展示了純甲基銨碘化鉛樣品在熱退火前后的變化，表明通過熱退火可以實現(xiàn)從0D到3D的相變。
6、MABI器件的J-V特性和穩(wěn)定性（圖2j-k）：
*給出了MABI器件的J-V特性（圖2j），表明使用Au接觸的器件性能優(yōu)于Ag接觸的器件。
*展示了具有Ag和Au頂接觸的MABI器件的穩(wěn)定性隨時間的變化（圖2k），表明Au接觸的器件具有更好的長期穩(wěn)定性。
7、(CH3NH3)3Bi2I9吸收體的J-V曲線和能級圖（圖2l-m）：
*給出了(CH3NH3)3Bi2I9吸收體的能級圖（圖2l），相對于真空給出了各能級的能量。
*展示了在光照下，具有(CH3NH3)3Bi2I9吸收體和無吸收體的參考電池的J-V曲線（圖2m），表明(CH3NH3)3Bi2I9吸收體具有一定的光伏性能，但整體效率較低。
這段文字通過多個子圖詳細(xì)展示了鈣鈦礦太陽能電池在不同維度和材料組合下的性能研究，為理解混合維度集成對電池性能的影響提供了重要依據(jù)。
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圖3 (a) 設(shè)備架構(gòu)示意圖。(b) ITO/SnO2/鈣鈦礦/spiro-OMeTAD結(jié)構(gòu)器件的SEM橫截面圖像。(c) 經(jīng)CBAH處理和未處理設(shè)備的J-V特性。(d) 55個新制備設(shè)備的統(tǒng)計Voc特性。(e) 在各種環(huán)境下，經(jīng)CBAH處理（紅色）和未封裝（藍(lán)色）的鈣鈦礦太陽能電池的PCE演變。(a)–(e) 已獲授權(quán)重印。65 版權(quán)所有 2022，Wiley。(f) 制備PSCs的器件架構(gòu)示意圖及兩步旋涂工藝。(g) 反向掃描設(shè)備的J-V曲線。(h) 最佳性能UTP 5設(shè)備和對照設(shè)備在50 mV s−1掃描速率下的正向和反向掃描J-V曲線。(i) 設(shè)備在50 mV s−1掃描速率下的統(tǒng)計PCE。(f)–(i) 已獲授權(quán)重印。66 版權(quán)所有 2021，Elsevier。(j) 單根碘化鉛量子線的圖像。(k) N2、N3和N4 PSCs的不同J-V曲線掃描方向。(l) 封裝后的N4和3D PSCs在80°C和85%相對濕度下進(jìn)行存儲穩(wěn)定性測試（N4 PSC的PCE為13.1%）。(j)–(l) 已獲授權(quán)重印。145 版權(quán)所有 2019，RSC。
解析
這段文字主要描述了圖3中展示的一系列關(guān)于鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）的實驗結(jié)果和圖表，具體解析如下：
1、設(shè)備架構(gòu)示意圖（圖3a）：
展示了PSCs的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，包括各層材料的排列和組成。
2、SEM橫截面圖像（圖3b）：
通過掃描電子顯微鏡（SEM）觀察到的ITO/SnO2/鈣鈦礦/spiro-OMeTAD結(jié)構(gòu)器件的橫截面圖像，揭示了各層之間的界面和微觀結(jié)構(gòu)。
3、J-V特性（圖3c）：
展示了經(jīng)過CBAH處理和未處理設(shè)備的電流-電壓（J-V）特性曲線，用于評估設(shè)備的性能，特別是光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）。
4、統(tǒng)計Voc特性（圖3d）：
展示了55個新制備設(shè)備的開路電壓（Voc）統(tǒng)計特性，反映了設(shè)備Voc的一致性和穩(wěn)定性。
5、PCE演變（圖3e）：
描述了在不同環(huán)境下（如光照、溫度、濕度等），經(jīng)過CBAH處理和未封裝的PSCs的PCE隨時間的變化情況，用于評估設(shè)備的長期穩(wěn)定性和耐久性。
6、器件架構(gòu)示意圖及兩步旋涂工藝（圖3f）：
展示了制備PSCs的器件架構(gòu)和兩步旋涂工藝流程，這是制備高效PSCs的關(guān)鍵步驟之一。
7、反向掃描設(shè)備的J-V曲線（圖3g）：
展示了反向掃描條件下設(shè)備的J-V曲線，用于分析設(shè)備的性能和電荷傳輸特性。
8、最佳性能設(shè)備的J-V曲線（圖3h）：
展示了最佳性能UTP 5設(shè)備和對照設(shè)備在正向和反向掃描條件下的J-V曲線，用于比較不同處理或結(jié)構(gòu)對設(shè)備性能的影響。
9、統(tǒng)計PCE（圖3i）：
展示了設(shè)備在特定掃描速率下的統(tǒng)計PCE，反映了設(shè)備性能的穩(wěn)定性和一致性。
10、單根碘化鉛量子線的圖像（圖3j）：
展示了單根碘化鉛量子線的圖像，這種量子線可能用于構(gòu)建1D鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，以提高PSCs的性能。
11、不同J-V曲線掃描方向（圖3k）：
展示了N2、N3和N4 PSCs在不同掃描方向下的J-V曲線，用于分析掃描方向?qū)υO(shè)備性能評估的影響。
12、存儲穩(wěn)定性測試（圖3l）：
描述了封裝后的N4和3D PSCs在高溫高濕環(huán)境下的存儲穩(wěn)定性測試結(jié)果，用于評估設(shè)備在實際應(yīng)用中的耐久性和可靠性。
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圖4 (a) 基于準(zhǔn)二維ACI GA(MA)nPbnI3n+1（n = 5）的PSC器件結(jié)構(gòu)。(b) 經(jīng)過和未經(jīng)過（原始）ImI處理的PSC在正向和反向掃描下的J-V曲線。(c) 在最大功率點(diǎn)（MPP）下，以0.948 V的偏置電壓測量PSC的穩(wěn)定功率輸出。未經(jīng)處理（原始）和處理后的樣品均含有2 mg mL−1的ImI。(d) 經(jīng)過和未經(jīng)過2 mg mL−1 ImI處理的PSC以及基于MAPbI3的PSC的穩(wěn)定性。(a)-(d) 已獲許可重印。68 版權(quán)所有 2022, ACS。(e) PVSC器件能帶對齊圖，(f) 不同NH4SCN濃度下器件的J-V曲線，(g) PSC的光電流，(h) 基于(PEA)2(MA)4Pb5I16（n = 5）鈣鈦礦薄膜的PSC器件在氮?dú)馐痔紫浜?5%濕度環(huán)境下的穩(wěn)定性測試。(e)-(h) 已獲許可重印。69 版權(quán)所有 2018, Wiley。(i) 使用多晶3D鈣鈦礦薄膜并在晶界處含有2D鈣鈦礦的器件示意圖…（內(nèi)容省略）…目標(biāo)器件與對照器件的PCE比較。器件保存在黑暗且濕度可控的環(huán)境中。(i)-(k) 已獲許可重印。148 版權(quán)所有 2018, Nature。(l) 基于MA和FA的2D鈣鈦礦在斜向和分級垂直排列中的晶體取向和相分布示意圖。(m) 最佳純MA、FA/MA和純FA器件在正向和反向掃描下的J-V曲線。(n) 高效低維鈣鈦礦太陽能電池PCE總結(jié)。(l)-(n) 已獲許可重印。70 版權(quán)所有 2022, Wiley。(o) 0和6 mol% MACl摻雜的PSC冠軍器件的J-V曲線。插圖展示了MACl摻雜如何改變堆疊的鈣鈦礦薄膜。已獲許可重印。149 版權(quán)所有 2020, ACS。(p) 不含spiro-OMeTAD的PSC的PCE統(tǒng)計數(shù)據(jù)，根據(jù)M2P前驅(qū)體溶液的不同條件分類。已獲許可重印。150 版權(quán)所有 2020, Wiley。
解析
這段文字詳細(xì)描述了圖4中各個子圖的內(nèi)容及其來源，主要圍繞準(zhǔn)二維（quasi-2D）和二維（2D）鈣鈦礦太陽能電池（PSC）的性能和穩(wěn)定性展開。以下是對各部分的解析：
1、(a) 器件結(jié)構(gòu)：
展示了基于準(zhǔn)二維ACI GA(MA)nPbnI3n+1（n = 5）的PSC器件結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)有助于理解器件的物理構(gòu)造和工作原理。
2、(b) J-V曲線：
比較了經(jīng)過和未經(jīng)過ImI處理的PSC在正向和反向掃描下的J-V曲線，展示了ImI處理對器件性能的影響。ImI處理可能改善了器件的電荷傳輸或減少了復(fù)合損失，從而提高了性能。
3、(c) 穩(wěn)定功率輸出：
在最大功率點(diǎn)（MPP）下測量了PSC的穩(wěn)定功率輸出，表明經(jīng)過ImI處理的器件在持續(xù)工作下能保持更高的功率輸出。
4、(d) 穩(wěn)定性測試：
評估了經(jīng)過和未經(jīng)過ImI處理的PSC以及基于MAPbI3的PSC的穩(wěn)定性，發(fā)現(xiàn)ImI處理顯著提高了器件的穩(wěn)定性，這對于實際應(yīng)用至關(guān)重要。
5、(e)-(h) 能帶對齊、J-V曲線、光電流和穩(wěn)定性：
(e) 展示了PVSC器件的能帶對齊圖，有助于理解器件中的電荷傳輸機(jī)制。
(f) 探討了不同NH4SCN濃度對器件J-V曲線的影響，表明NH4SCN的添加可以優(yōu)化器件性能。
(g) 測量了PSC的光電流，反映了器件對光的響應(yīng)能力。
(h) 測試了基于(PEA)2(MA)4Pb5I16（n = 5）鈣鈦礦薄膜的PSC器件在氮?dú)馐痔紫浜?5%濕度環(huán)境下的穩(wěn)定性，發(fā)現(xiàn)器件在氮?dú)猸h(huán)境中更穩(wěn)定。
6、(i)-(k) PCE比較：
比較了目標(biāo)器件與對照器件的PCE（光電轉(zhuǎn)換效率），發(fā)現(xiàn)目標(biāo)器件在特定條件下表現(xiàn)出更高的效率，這可能歸因于器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化或材料的改進(jìn)。
7、(l)-(n) 晶體取向、相分布和PCE總結(jié)：
(l) 展示了基于MA和FA的2D鈣鈦礦在斜向和分級垂直排列中的晶體取向和相分布示意圖，有助于理解2D鈣鈦礦的結(jié)構(gòu)特性。
(m) 比較了最佳純MA、FA/MA和純FA器件在正向和反向掃描下的J-V曲線，展示了不同材料組合對器件性能的影響。
(n) 總結(jié)了高效低維鈣鈦礦太陽能電池的PCE，提供了該領(lǐng)域性能水平的概覽。
8、(o) MACl摻雜的J-V曲線：
展示了0和6 mol% MACl摻雜的PSC冠軍器件的J-V曲線，表明MACl摻雜可以顯著改善器件性能，插圖展示了摻雜如何改變堆疊的鈣鈦礦薄膜結(jié)構(gòu)。
9、(p) PCE統(tǒng)計數(shù)據(jù)：
提供了不含spiro-OMeTAD的PSC的PCE統(tǒng)計數(shù)據(jù)，根據(jù)M2P前驅(qū)體溶液的不同條件分類，有助于理解不同制備條件對器件性能的影響。
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圖5 (a) 展示了雙面鈍化PSC中各層順序的示意圖。(b) 展示了控制PSC和鈍化PSC的PCE（光電轉(zhuǎn)換效率）光伏參數(shù)波動圖。(c) 展示了性能最優(yōu)的控制PSC和雙面鈍化PSC的J-V（電流密度-電壓）曲線。(d) 展示了在最大功率點(diǎn)（MPP）穩(wěn)定后的PSC效率（插圖展示了最初40秒的穩(wěn)定過程，顯示了控制電池和鈍化電池之間的瞬態(tài)響應(yīng)差異）。(a)-(d) 已獲授權(quán)重印。版權(quán)所有 2020，ACS（美國化學(xué)學(xué)會）。(e) 展示了器件的橫截面SEM（掃描電子顯微鏡）圖像。(f) 展示了在太陽能電池中使用的不同添加量的鈣鈦礦吸收層的J-V曲線。(g) 測試了有無10% en-FASnI3負(fù)載的太陽能電池在AM1.5 G（全球大氣質(zhì)量1.5）連續(xù)光照下的老化能力。(h) 展示了在正向和反向電壓掃描下測量的含有10% en-FASnI3鈣鈦礦吸收層的最佳PSC的J-V曲線。(i) 展示了10%封裝器件隨存儲時間的效率變化。(e)-(i) 已獲授權(quán)重印。版權(quán)所有 2017，Science（科學(xué)雜志）。
解析
這段文字詳細(xì)描述了圖5中各個子圖的內(nèi)容及其來源授權(quán)信息，主要圍繞雙面鈍化鈣鈦礦太陽能電池（PSC）的性能研究展開。以下是對各部分的詳細(xì)解析：
1、圖5(a):
內(nèi)容：展示了雙面鈍化PSC中各層順序的示意圖。
解析：此圖可能展示了從底部到頂部依次為透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層、電子傳輸層（ETL）、鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層（HTL）以及金屬電極層的結(jié)構(gòu)，其中鈍化層可能位于鈣鈦礦吸收層的兩側(cè)。
2、圖5(b):
內(nèi)容：展示了控制PSC和鈍化PSC的PCE光伏參數(shù)波動圖。
解析：通過對比控制PSC和鈍化PSC的PCE隨時間或其他條件的變化，可以評估鈍化處理對PSC穩(wěn)定性和效率的影響。
3、圖5(c):
內(nèi)容：展示了性能最優(yōu)的控制PSC和雙面鈍化PSC的J-V曲線。
解析：J-V曲線是評估太陽能電池性能的重要手段，通過對比控制PSC和鈍化PSC的J-V曲線，可以直觀看出鈍化處理對電池性能的提升效果。
4、圖5(d):
內(nèi)容：展示了在最大功率點(diǎn)（MPP）穩(wěn)定后的PSC效率，插圖展示了最初40秒的穩(wěn)定過程。
解析：此圖展示了PSC在最大功率點(diǎn)下的穩(wěn)定效率，以及電池從啟動到穩(wěn)定過程中的瞬態(tài)響應(yīng)差異，有助于理解電池在實際工作條件下的性能表現(xiàn)。
5、圖5(e):
內(nèi)容：展示了器件的橫截面SEM圖像。
解析：SEM圖像提供了器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的直觀視圖，有助于分析各層之間的界面質(zhì)量和整體結(jié)構(gòu)特征。
6、圖5(f):
內(nèi)容：展示了在太陽能電池中使用的不同添加量的鈣鈦礦吸收層的J-V曲線。
解析：通過改變鈣鈦礦吸收層的添加量，研究其對太陽能電池性能的影響，有助于優(yōu)化吸收層的厚度和組成。
7、圖5(g):
內(nèi)容：測試了有無10% en-FASnI3負(fù)載的太陽能電池在AM1.5 G連續(xù)光照下的老化能力。
解析：此測試評估了en-FASnI3作為添加劑對太陽能電池老化性能的影響，有助于了解添加劑在提高電池穩(wěn)定性方面的作用。
8、圖5(h):
內(nèi)容：展示了在正向和反向電壓掃描下測量的含有10% en-FASnI3鈣鈦礦吸收層的最佳PSC的J-V曲線。
解析：通過對比正向和反向電壓掃描下的J-V曲線，可以評估電池在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，以及en-FASnI3添加劑對電池性能的影響。
9、圖5(i):
內(nèi)容：展示了10%封裝器件隨存儲時間的效率變化。
解析：此圖展示了封裝器件在存儲過程中的效率衰減情況，有助于評估封裝技術(shù)對延長電池使用壽命的效果。
10、版權(quán)信息:
所有子圖均已獲授權(quán)重印，并注明了版權(quán)所有者和出版年份。這確保了圖片使用的合法性和合規(guī)性。
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圖6
(a) 二維-三維垂直異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)（2D-3D PVHH）示意圖。
(b) 冠軍模塊的J-V特性曲線。插圖展示了模塊的照片，其有效面積為342平方厘米。為防止機(jī)械損傷，模塊進(jìn)行了簡單封裝并保存在黑暗處。在65%相對濕度下評估了模塊的穩(wěn)定性。
(c) 在65%相對濕度條件下的穩(wěn)定性評估。
(d) 在環(huán)境大氣條件下的穩(wěn)定性評估。
(a)-(d) 經(jīng)許可復(fù)制，版權(quán)所有2018，Wiley。
(e) 由寬帶隙Cs0.17FA0.83Pb(I0.6Br0.4)3鈣鈦礦薄膜吸收層和通過在鈣鈦礦上沉積BABAr溶液制成的二維-RP（Ruddlesden-Popper）中間層組成的太陽能電池示意圖。
(f) 使用反向（開放符號）和正向（閉合符號）掃描來確定具有和不具有BABr（2 mg mL−1）鈍化層的冠軍器件的J-V特性曲線。
(g) 冠軍器件在連續(xù)光照下的穩(wěn)態(tài)功率轉(zhuǎn)換效率（SPCE）。
(e)-(g) 經(jīng)許可復(fù)制，版權(quán)所有2019，Wiley。
(j) 目標(biāo)-1和目標(biāo)-2器件的J-V特性曲線。
(k) 使用50個不同器件收集相應(yīng)器件的統(tǒng)計PCE數(shù)據(jù)。
(j)和(k) 經(jīng)許可復(fù)制，版權(quán)所有2022，Wiley。
(l) 左側(cè)展示了3D/2D界面示意圖和3D/2-TMAI 2D界面的橫截面SEM圖像。
(m) 比較新加熱器件和根據(jù)熱循環(huán)進(jìn)行熱老化的器件的PCE統(tǒng)計數(shù)據(jù)。
(l)和(m) 經(jīng)許可復(fù)制，版權(quán)所有2022，Wiley。
(n) p-i-n型太陽能電池的示意圖，使用鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)構(gòu)作為活性層。
(o) 在100 mW cm−2光照下，不同PEA2PbI4層厚度的2D/MAPI/2D異質(zhì)結(jié)太陽能電池的J-V特性曲線。
(n)和(o) 經(jīng)許可復(fù)制，版權(quán)所有2019，ACS。
(p) J-V特性曲線。插圖展示了DJ二維-三維鈣鈦礦的示意圖架構(gòu)。經(jīng)許可復(fù)制，版權(quán)所有2020，Elsevier。
解析
這段文字詳細(xì)描述了圖6中各個子圖的內(nèi)容及其來源和版權(quán)信息。圖6主要展示了二維-三維混合維度鈣鈦礦太陽能電池的不同結(jié)構(gòu)和性能評估。
二維-三維垂直異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)（2D-3D PVHH）：
示意圖（a）展示了這種結(jié)構(gòu)的基本架構(gòu)。
冠軍模塊的J-V特性曲線（b）及其穩(wěn)定性評估（c, d）在特定濕度和環(huán)境條件下進(jìn)行，顯示了模塊的性能和耐久性。
寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池：
示意圖（e）展示了由寬帶隙Cs0.17FA0.83Pb(I0.6Br0.4)3鈣鈦礦薄膜和二維-RP中間層組成的太陽能電池結(jié)構(gòu)。
J-V特性曲線（f）和穩(wěn)態(tài)功率轉(zhuǎn)換效率（g）評估了具有和不具有BABr鈍化層的器件性能。
目標(biāo)器件性能評估：
J-V特性曲線（j）展示了目標(biāo)-1和目標(biāo)-2器件的性能。
統(tǒng)計PCE數(shù)據(jù)（k）基于50個不同器件的收集，提供了器件性能的分布情況。
3D/2D界面和熱穩(wěn)定性評估：
3D/2D界面示意圖和橫截面SEM圖像（l）展示了界面的微觀結(jié)構(gòu)。
PCE統(tǒng)計數(shù)據(jù)（m）比較了新加熱器件和熱老化器件的性能，評估了熱穩(wěn)定性。
p-i-n型太陽能電池和異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)：
示意圖（n）展示了p-i-n型太陽能電池的結(jié)構(gòu)，使用鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)構(gòu)作為活性層。
J-V特性曲線（o）評估了不同PEA2PbI4層厚度的2D/MAPI/2D異質(zhì)結(jié)太陽能電池的性能。
DJ二維-三維鈣鈦礦：
J-V特性曲線（p）和示意圖架構(gòu)（插圖）展示了DJ二維-三維鈣鈦礦的結(jié)構(gòu)和性能。
這段文字提供了對圖6中各個子圖的詳細(xì)解釋，包括它們的結(jié)構(gòu)、性能評估方法和結(jié)果，以及相關(guān)的版權(quán)信息。
PSCs作為一種極具前景的光伏技術(shù)，正迅速獲得認(rèn)可。本文全面分析了PSCs的維度多樣性，從0D到3D結(jié)構(gòu)，并探討了混合維度集成在提高穩(wěn)定性和性能方面的潛力。通過現(xiàn)代技術(shù)如鈍化、界面工程和精確控制晶體生長，鈣鈦礦材料得到了顯著優(yōu)化，實現(xiàn)了長期穩(wěn)定性和整體效率的提升。盡管PSCs在效率上已取得顯著進(jìn)展，但長期穩(wěn)定性、可擴(kuò)展性和毒性問題仍是其商業(yè)化應(yīng)用的主要障礙。未來的研究應(yīng)繼續(xù)聚焦于提高PSCs的穩(wěn)定性、效率和可擴(kuò)展性，同時探索無鉛鈣鈦礦材料以減少環(huán)境影響。通過克服這些挑戰(zhàn)，混合維度PSCs有望成為可再生能源領(lǐng)域的重要力量，為清潔、高效的能源解決方案提供可能。DOI: 10.1039/d3ta06953b
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號
